•
•
•
•
•
•
IRF5210STRLPBF MOSFET транзистор: P-канал, 100 В, 0.4 А, 60 мОм
Характеристики и описание
Пользовательские характеристики
| Pd - Рассеиваемая мощность | 3.1W (Ta) 170W (Tc) |
| Ёмкость затвора | 2780 pF @ 25 V |
| Диапазон номинальных напряжений затвора | 10V |
| Заряд затвора | 230 nC @ 10 V |
| Макс. рабочая температура, С | 175 |
| Максимальное напряжение затвор-исток | ±20V |
| Максимальное напряжение сток-исток, В | 100 V |
| Максимальный ток сток-исток при 25С, макс А | 0.4 |
| Мин. рабочая температура, С | -55 |
| Монтаж | SMD |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V @ 250µA |
| Сопротивление канала в открытом состоянии | 60mOhm @ 38A, 10V |
| Структура | P-Channel |
| Тип корпуса | TO-263(D2PAK) |
IRF5210STRLPBF Транзистор полевой MOSFET
MOSFET транзистор: P-канал, 100 В, 0.4 А, 60 мОм
IRF5210STRLPBF MOSFET транзистор: P-канал, 100 В, 0.4 А, 60 мОм
В наличии
113 ₴
Способы оплаты
Безопасная оплата
- Как наложенный платеж, только без переплат
- Вернем деньги, если что-то пойдет не так
- Bigl гарантирует безопасность
Нова Пошта, Укрпочта
Способы доставки
Нова Пошта — от 70 грн
Укрпошта — от 39 грн
Условия возврата
Возврат товара в течение 14 дней за рахунок покупцяДругие товары продавца
Смотрите также
Новинки в категории транзисторы
Любимые товары покупателей
Чат