•
•
•
•
•
•
CSD18563Q5A Полевой МОП-транзистор (MOSFET) 60V N-Channel NexFET Power MOSFET
Характеристики и описание
Основной
| Производитель | TI |
Пользовательские характеристики
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Заряд затвора | 15 nC |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Максимальная Рабочая _x000D_ Температура | + 150 C |
| Минимальная Рабочая _x000D_ Температура | - 55 C |
| Напряжение _x000D_ затвор-исток | - 20 V, + 20 V |
| Напряжение пробоя _x000D_ сток-исток | 60 V |
| Непрерывный ток _x000D_ утечки | 100 A |
| Полярность _x000D_ транзистора | N-Channel |
| Пороговое напряжение _x000D_ затвор-исток | 1.7 V |
| Рассеивание мощности | 116 W |
| Сопротивление _x000D_ сток-исток | 6.8 mOhms |
CSD18563Q5A Транзистор полевой MOSFET
Полевой МОП-транзистор (MOSFET) 60V N-Channel NexFET Power MOSFET
CSD18563Q5A Полевой МОП-транзистор (MOSFET) 60V N-Channel NexFET Power MOSFET
В наличии
81.25 ₴
Способы оплаты
Безопасная оплата
- Как наложенный платеж, только без переплат
- Вернем деньги, если что-то пойдет не так
- Bigl гарантирует безопасность
Нова Пошта, Укрпочта
Способы доставки
Нова Пошта — от 70 грн
Укрпошта — от 39 грн
Условия возврата
Возврат товара в течение 14 дней за рахунок покупцяДругие товары продавца
Смотрите также
Новинки в категории транзисторы
Любимые товары покупателей
Чат