•
•
•
•
•
•
CSD18542KCS МОП-транзистор 60V N-channel NexFET Power МОП-транзистор
Характеристики и описание
Основной
| Производитель | TI |
Пользовательские характеристики
| Pd - Рассеиваемая мощность | 200W (Tc) |
| Ёмкость затвора | 5070 pF @ 30 V |
| Диапазон номинальных напряжений затвора | 4.5V 10V |
| Заряд затвора | 57 nC @ 10 V |
| Макс. рабочая температура, С | 175 |
| Максимальное напряжение затвор-исток | ±20V |
| Максимальное напряжение сток-исток, В | 60 V |
| Максимальный ток сток-исток при 25С, макс А | 200 |
| Мин. рабочая температура, С | -55 |
| Монтаж | THT |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.2V @ 250µA |
| Сопротивление канала в открытом состоянии | 44mOhm @ 100A 10V |
| Структура | N-Channel |
| Тип корпуса | TO-220 |
CSD18542KCS Транзистор полевой MOSFET
МОП-транзистор 60V N-channel NexFET Power МОП-транзистор
CSD18542KCS МОП-транзистор 60V N-channel NexFET Power МОП-транзистор
В наличии
209 ₴
Способы оплаты
Безопасная оплата
- Как наложенный платеж, только без переплат
- Вернем деньги, если что-то пойдет не так
- Bigl гарантирует безопасность
Нова Пошта, Укрпочта
Способы доставки
Нова Пошта — от 70 грн
Укрпошта — от 39 грн
Условия возврата
Возврат товара в течение 14 дней за рахунок покупцяДругие товары продавца
Смотрите также
Новинки в категории транзисторы
Любимые товары покупателей
Чат