•
•
•
•
•
•
AOTF10B60D Транзистор: IGBT, 600В, 10А, 16,7Вт, TO220F, Eвыкл: 0,16мДж
Характеристики и описание
Пользовательские характеристики
| Pd - Рассеиваемая мощность | 42W (Tc) |
| Ёмкость затвора | 824 pF @ 25 V |
| Заряд затвора | 17.4 nC @ 15 V |
| Макс. рабочая температура, С | 150 |
| Максимальное напряжение затвор-исток | ±20V |
| Максимальное напряжение сток-исток, В | 600 V |
| Максимальный ток сток-исток при 25С, макс А | 20 |
| Мин. рабочая температура, С | -55 |
| Монтаж | THT |
| Пороговое напряжение на затворе | 5.6 V @ 250µA |
| Сопротивление канала в открытом состоянии | 3.2Ohm |
| Структура | N-Channel |
| Тип корпуса | TO-220F |
AOTF10B60D Транзистор полевой MOSFET
Транзистор: IGBT, 600В, 10А, 16,7Вт, TO220F, Eвыкл: 0,16мДж
AOTF10B60D Транзистор: IGBT, 600В, 10А, 16,7Вт, TO220F, Eвыкл: 0,16мДж
В наличии
114 ₴
Способы оплаты
Безопасная оплата
- Как наложенный платеж, только без переплат
- Вернем деньги, если что-то пойдет не так
- Bigl гарантирует безопасность
Нова Пошта, Укрпочта
Способы доставки
Нова Пошта — от 70 грн
Укрпошта — от 39 грн
Условия возврата
Возврат товара в течение 14 дней за рахунок покупцяДругие товары продавца
Смотрите также
Новинки в категории транзисторы
Любимые товары покупателей
Чат