| Pd - рассеивание _x000D_
мощности | 225 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Коллектор постоянного _x000D_
тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 30 |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления _x000D_
по постоянному току (hFE), макс. | 270 |
| Максимальный _x000D_
постоянный ток коллектора | 50 mA |
| Напряжение _x000D_
коллектор-база (VCBO) | 20 V |
| Напряжение _x000D_
коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 12 V |
| Напряжение _x000D_
эмиттер-база (VEBO) | 1.5 V |
| Непрерывный _x000D_
коллекторный ток | 50 mA |
| Полярность _x000D_
транзистора | NPN |
| Произведение _x000D_
коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 10000 MHz |
| Рабочая частота | 10 GHz |
| Технология | Si |
| Тип корпуса | SOT-23 |
| Тип транзистора | Bipolar |