•
•
•
•
•
•
NCE30TD60BD IGBT + Diode. N. 190 W. 60 A @25℃. 17 nS. 106 pF. 132 nC.
Характеристики и описание
Пользовательские характеристики
| Время включения | 19ns |
| Время выключения | 166ns |
| Заряд затвора | 132 nC |
| Макс. рабочая температура, С | 150 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 190 |
| Мин. рабочая температура, С | -55 |
| Монтаж | SMD |
| Напряжение затвор - эмиттер, В | 30 |
| Напряжение коллектор-эмиттер, В | 600 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 1.7 |
| Тип корпуса | D2PAK |
| Ток коллектора, А | 60 |
NCE30TD60BD Транзистор IGBT
IGBT + Diode. N. 190 W. 60 A @25℃. 17 nS. 106 pF. 132 nC.
NCE30TD60BD IGBT + Diode. N. 190 W. 60 A @25℃. 17 nS. 106 pF. 132 nC.
В наличии
145 ₴
Способы оплаты
Безопасная оплата
- Как наложенный платеж, только без переплат
- Вернем деньги, если что-то пойдет не так
- Bigl гарантирует безопасность
Нова Пошта, Укрпочта
Способы доставки
Нова Пошта — от 70 грн
Укрпошта — от 39 грн
Условия возврата
Возврат товара в течение 14 дней за рахунок покупцяДругие товары продавца
Смотрите также
Новинки в категории транзисторы
Любимые товары покупателей
Чат