Нажмите найти для поиска
Bigl.ua
•
Все категории
•
Электрооборудование
•
Электронные компоненты
•
Активные компоненты
•
Транзисторы
•
SUP70060E-GE3 Транзистор: N-MOSFET, TrenchFET®, полевой, 100В, 131А, Idm: 240А
Характеристики и описание
Основной
Производитель
Vishay Intertechnology
Пользовательские характеристики
Pd - Рассеиваемая мощность
200W (Tc)
Ёмкость затвора
3330 pF @ 50 V
Диапазон номинальных напряжений затвора
7.5V 10V
Заряд затвора
81 nC @ 10 V
Макс. рабочая температура, С
175
Максимальное напряжение затвор-исток
±20V
Максимальное напряжение сток-исток, В
100 V
Максимальный ток сток-исток при 25С, макс А
131
Мин. рабочая температура, С
-55
Монтаж
THT
Пороговое напряжение на затворе
4V @ 250µA
Сопротивление канала в открытом состоянии
5.8mOhm @ 30A 10V
Структура
N-Channel
Тип корпуса
TO-220AB
SUP70060E-GE3 Транзистор полевой MOSFET
Транзистор: N-MOSFET, TrenchFET®, полевой, 100В, 131А, Idm: 240А
SUP70060E-GE3 Транзистор: N-MOSFET, TrenchFET®, полевой, 100В, 131А, Idm: 240А
В наличии
Код:
00-00075067
308
₴
Купить
Купить сейчас
Безопасная оплата
Продавец LeChat Відправка від 1 до 5 днів! На деякі товари може бути передплата!
4.8
Отзывы о продавце
График работы
Товары продавца
Защита покупки до 5 000 грн
Способы оплаты
Безопасная оплата
Как наложенный платеж, только без переплат
Вернем деньги, если что-то пойдет не так
Bigl гарантирует безопасность
Подробнее
Наложенный платеж
Нова Пошта, Укрпочта
Смотреть все
Способы доставки
Нова Пошта
—
от 70 грн
Укрпошта
—
от 39 грн
Смотреть все
Условия возврата
Возврат товара в течение 14 дней за рахунок покупця
Подробнее
Другие товары продавца
M95160-RMN6TP EEPROM память с SPI интерфейсом, объёмом 16 кбит, в корпусе SOIC-8-3.9 . Особенности: 4 миллиона циклов перезаписи .
38.75
₴
SMCJ7.0A 125A 1.5kW 12V 7.78V 7V DO-214AB(SMCJ) ESD and Surge Protection (TVS/ESD), SMCJ7.0A-E3/57T
12.5
₴
LM317LZG Линейный регулятор - [TO-92]: Тип: Linear Regulator: Uвх: 4.2...40 В: Uвых: 1.2...32 В: Регул.: ADJ: Iвых: 100 мА: ACCUR:
37.5
₴
AT24C04B-PU EEPROM память с I2C интерфейсом объёмом 4 кбит в корпусе DIP-8
36.25
₴
SMCJ33A-TR Защитный диод - [DO-214AB]: Pрасс: 6.5 Вт: Pрасс(пик): 1.5 кВт: Uогр(ном): 33 В: Линий: 1
15
₴
Смотрите также
Mosfet n канал 0в 10а st stp10nkzfp to220f
Транзистор n канал в 1а to 220ab
Транзистор rjp30h2a igbt 3в 35а
Транзисторы
Mosfet
Irf3205
Транзистор ss8050
Irfz44n
N channel mosfet
Транзистор 20n60
Транзистор fgh40n60sfd
Фототранзистор
Объявлений
Мп 40 транзистор
Новинки в категории транзисторы
Транзистор IGBT NCE75TD120BT
Транзистор JT040K065WED (TO-247)
BT137-800E China
N-MOSFET IRLZ44N 55V/47A - THT - 5 шт.
N-канал 120В 7 PSMN7R8-120PSQ
Транзистор полевой MOSFET NCEP60T20
JSM50N06C JSMSemi
Транзистор FDA16N50 ( 16N50) оригинал демонтаж (500V,16A), T...
TVA-W-D-SR-130SP-VA016D
Транзистор IGBT NCE40TD60BT
Любимые товары покупателей
КТ853Б транзистор PNP (12А 80В) (h21э 750) 60W (ТО220)
Транзистор полевой OSPF10N65C
КТ8102А транзистор PNP (16А 200В) 150W
Транзистор HY4008P Оригинал!!! 200A, 80V, MOSFET (замена SW0...
Транзистор полевой IRF3205
Транзистор IRFZ46N (ТО220)
ГТ321Г
Транзистор полевой IRFP4110
Транзистор полевой IRLB3813
Транзистор кт3109а
Чат