promo_download_app_ios_2025
Нажмите найти для поиска
SI2304DDS-T1-GE3 МОП-транзистор: N-Channel, 30V 3.6A 1.7W 60mohm @ 10V
SI2304DDS-T1-GE3 МОП-транзистор: N-Channel, 30V 3.6A 1.7W 60mohm @ 10V
Характеристики и описание

Основной

ПроизводительVishay Intertechnology

Пользовательские характеристики

Pd - Рассеиваемая мощность1.1W (Ta) 1.7W (Tc)
Ёмкость затвора235 pF @ 15 V
Диапазон номинальных напряжений затвора4.5V 10V
Заряд затвора6.7 nC @ 10 V
Макс. рабочая температура, С150
Максимальное напряжение затвор-исток±20V
Максимальное напряжение сток-исток, В30 V
Максимальный ток сток-исток при 25С, макс А3.3
Мин. рабочая температура, С-55
МонтажSMD
Пороговое напряжение на затворе2.2V @ 250µA
Сопротивление канала в открытом состоянии60mOhm @ 3.2A 10V
СтруктураN-Channel
Тип корпусаSOT-23
SI2304DDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET
МОП-транзистор: N-Channel, 30V 3.6A 1.7W 60mohm @ 10V

SI2304DDS-T1-GE3 МОП-транзистор: N-Channel, 30V 3.6A 1.7W 60mohm @ 10V

В наличии
Код: 00-00051182
11.25 
Способы оплаты
Безопасная оплата
  • Как наложенный платеж, только без переплат
  • Вернем деньги, если что-то пойдет не так
  • Bigl гарантирует безопасность
Наложенный платеж
Нова Пошта, Укрпочта
Способы доставки
Нова Пошта — от 70 грн
Укрпошта — от 39 грн
Условия возврата
Возврат товара в течение 14 дней за рахунок покупця
Чат