•
•
•
•
•
•
LXES1UTAA1-157 Модуль защиты от электростатического разряда , DFN1006, 2 контакта, 6 В, LXESxxT
Характеристики и описание
Пользовательские характеристики
| Cd - емкость диода | 0.5 pF |
| Vеср - напряжение _x000D_ электростатического разряда при воздушном зазоре | 15 kV |
| Vеср - напряжение _x000D_ электростатического разряда при контакте | 8 kV |
| Категория продукта | Диоды для защиты _x000D_ от ЭСР / диоды для подавления переходных скачков напряжения |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Напряжение пробоя | 7 V |
| Полярность | Bidirectional |
| Производитель | MURATA |
| Рабочая температура | - 40 C ... + 85 C |
| Рабочее напряжение | 5.5 V |
| Тип выводов | SMD/SMT |
| Тип корпуса | DFN-1006-2 |
| Тип продукта | TVS Diodes |
LXES1UTAA1-157 Микросхема
Модуль защиты от электростатического разряда , DFN1006, 2 контакта, 6 В, LXESxxT
LXES1UTAA1-157 Модуль защиты от электростатического разряда , DFN1006, 2 контакта, 6 В, LXESxxT
В наличии
13.75 ₴
Способы оплаты
Безопасная оплата
- Как наложенный платеж, только без переплат
- Вернем деньги, если что-то пойдет не так
- Bigl гарантирует безопасность
Нова Пошта, Укрпочта
Способы доставки
Нова Пошта — от 70 грн
Укрпошта — от 39 грн
Условия возврата
Возврат товара в течение 14 дней за рахунок покупцяДругие товары продавца
Смотрите также
Новинки в категории интегральные микросхемы
Любимые товары покупателей
Чат