•
•
•
•
•
•
SI2308BDS-T1-GE3 МОП-транзистор: 1 N-Channel, 60V 2.3A 1.66W 156mohm @ 10V
Характеристики та опис
Основні
| Виробник | Vishay Intertechnology |
Користувальницькі характеристики
| Pd — Розсіювана потужність | 1.09W (Ta) 1.66W (Tc) |
| Місткість затвора | 190 pF @ 30 V |
| Діапазон номінальних напруг затвора | 4.5V 10V |
| Заряд затвора | 6.8 nC @ 10 V |
SI2308BDS-T1-GE3 Транзистор польовий MOSFET
МОП-транзистор: 1 N-Channel, 60V 2.3A 1.66W 156mohm @ 10V
SI2308BDS-T1-GE3 МОП-транзистор: 1 N-Channel, 60V 2.3A 1.66W 156mohm @ 10V
В наявності
25 ₴
Способи оплати
Безпечна оплата
- Як післяплата, тільки без переплат
- Повернем гроші, якщо щось піде не так
- Bigl гарантує безпеку
Нова Пошта, Укрпошта
Способи доставки
Нова Пошта — від 60 грн
Укрпошта — від 35 грн
Умови повернення
Повернення товару впродовж 14 днів за рахунок покупцяІнші товари продавця
Подібні товари інших продавців
Дивіться також
Новинки в категорії транзистори
Улюблені товари покупців
Чат