•
•
•
•
•
•
Диодный мост KBU8M GeneSiC Semiconductor
Характеристики и описание
Пользовательские характеристики
| Диапазон рабочих температур | -50°C ...+150°C |
| Зворотне напруження макс. Vrmax | 1000B |
| Середній струм, Ia | 8A |
| Тип корпуса | SIP-4, KBU |
Диодный мост корп. SIP-4 (в ряд) U=1000V I=8A
Диодный мост KBU8M GeneSiC Semiconductor
Готово к отправке
53.1 ₴
Способы оплаты
Безопасная оплата
- Как наложенный платеж, только без переплат
- Вернем деньги, если что-то пойдет не так
- Bigl гарантирует безопасность
Самовывоз
IBAN UA383003350000000026009208726
Способы доставки
Нова Пошта — от 70 грн
Укрпошта — от 39 грн
Самовывоз
Условия возврата
Уточняйте у продавцаДругие товары продавца
Смотрите также
Новинки в категории диоды
Любимые товары покупателей
Чат