Применяется для обеспечения хорошей теплопередачи между тепловыделяющим компонентом (процессор, микросборка, LED) и радиатором.
Также обладет диэлектрическими свойствами, электрически изолируя радиатор от компонента.
Силиконовая основа придает материалу высокую эластичность, подложка хорошо заполняет микрорельеф поверхностей сопряжения.
В качестве наполнителя применен нитрид алюминия, обладающий отличной теплопроводностью.
Характеристики:
-
толщина: 1 мм
-
размер листа: 100 х 100 мм
-
теплопроводность: 1,5Вт/мК
-
диэлектрическая проницаемость: 4,5 кВ/мм
-
диапазон рабочих температур: -50°C +200°C
-
коэффициент линейного удлиннения: 1,48
