Тип: Сдвоенный N-канальный MOSFET в одном корпусе

Максимальное напряжение сток-исток (Vds): 30 В

Максимальный ток стока: до 7 А (при температуре 25 °C)

Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)): около 6 мОм при Vgs = 10 В

Корпус: SO-8 с тепловой площадкой

Низкий заряд затвора (Qg)

Температурный диапазон: от –55 °C до +150 °C

Подходит для логических уровней управления (10–12 В)