Высокомощный широкополосный RF‑модуль на GaN транзисторах для усиления сигналов в диапазоне 400-700 МГц до уровня 100 Вт. Джаммер выполнен в прочном алюминиевом корпусе с экранированием и предназначен для интеграции в 50-омне РЕБ системы/

Ключевые особенности: 400-700 МГц; до 100 Вт; GaN технология; выход N‐Type 50 Ω; кондукционное охлаждение (требуется радиатор/теплоплита); работа лишь на согласованную 50‐часовую нагрузку. По умолчанию для 100 Вт модулей требований — контроль тепла и ограничения входной раскатки (коликая dBm)

• ⚡ 100 Вт стабильной мощности в диапазоне 400–700 МГц
• 🔥 GaN технология — высокая эффективность и минимальные тепловые потери
• 🛡 Защита от перегрева для безопасной эксплуатации
• 📡 Стандартный RF интерфейс 50 Ом
• 🔌 Питание 28 В — удобная интеграция в системы
• 🧩 Компактные габариты 30×80×157 мм

GaN транзистори обеспечивают высокую плотность мощности, уменьшенные тепловые потери и стабильную работу в широком диапазоне частот. По сравнению с традиционными решениями, модуль обладает лучшей энергоэффективностью и компактными габариты при сохранении высокой выходной мощности. Ключевая особенность GaN‐технологии — высокая удельная мощность и способность к широкополосному согласованию при хорошей эффективности, что позволяет получать более компактные и «легкие» решения при той же выходной мощности.

В качестве инженерного ориентира для модулей такого класса (100 Вт GaN) типичными являются: большой коэффициент усиления порядка 45–50 dB и небольшой необходимый уровень раскачки (коликая dBm), питание класса 24–32 В (номинально 28 В), ток на мощности – матриозный диапазон ампер, и требование жесткого теплового контакта с радиатором/плитой; эти диапазоны подтверждаются данными коммерческих модулей 100 Вт и GaN‐усилительных «палит» (pallet modules). 

Ниже приведены типичен архитектура 100-ваттного широкополосного GaN‑PA, согласованную с настраиваемой компоновкой (разделение отсеков, силовая часть/управление отдельно от RF‐выхода).

•   A[RF IN 50Ω] --> B[Входное согласование / ограничение уровня]
•   B --> C[ Предварительный усилитель / драйвер]
•   C --> D[Можкаскадное согласование]
•   D --> E[Финальный каскад на GaN (100 Вт класс)]
•   E --> F[Выходное согласование + ФНЧ/фильтрация]
•   F --> G[Направляющий разветвитель / детектор прямой/отбитой мощности]
•   G --> H[RF OUT 50Ω (N-Type)]

🟢PA-модуль 400–700 МГц 100 Вт на GaN транзисторах — это высокоэффективный RF усилитель мощности с импедансом 50 Ом и разъемом N-Type. Работает от источника питания DC 28 В, имеет защиту от перегрева и компактные размеры 30×80×157 мм. Подходит для интеграции в специализированные радиочастотные системы UHF диапазона.

Какой тип разъема используется?
N-Type female (50 Ом).

Какое питание необходимо?
DC 28 В постоянного тока.

Чем GaN отличается от LDMOS?
GaN обеспечивает более высокую эффективность и лучшую тепловую стабильность при высоких мощностях.

Есть ли защита от перегрева?
Так, предусмотрена встроенная тепловая защита.