promo_download_app_android_2023
Натисніть знайти для пошуку
IGBT модуль Semikron SKiiP 35NAB12T4V1 50 А 1200 В
IGBT модуль Semikron SKiiP 35NAB12T4V1 50 А 1200 В
Характеристики та опис

Основні

ВиробникSemikron
Країна виробникКитай
Тип транзистораТранзисторний модуль
Максимально допустимий струм колектора50 А
Тип монтажуПоверхневий
Производитель Semikron
Тип модуля IGBT модуль
Количество ключей 7
Топология 3-фазный мост IGBT
Обратное напряжение 1200 В
Номинальный ток коллектора 50 А
Темература хранения -40 - +125 °C
Диапазон рабочих температур -40 - +150 °C
Макс. температура перехода +175 °C
Технология IGBT 4
Тип корпуса MiniSKIIP 2
Размеры корпуса (ДхШхВ мм) 58,5x51,5x15,8

Применение:
  • Инвертор до 26 кВА;
  • Управление двигателем до 15 кВт.

IGBT модуль Semikron SKiiP 35NAB12T4V1 50 А 1200 В

Під замовлення, 45 днів
Код: 35NAB12T4V1
від 3 930 
Оплатити частинами
2
rozetkapay
Способи оплати
Оплатити частинами
rozetkapay
Без переплат*, від 1965 ₴ / міс.
Детальніше
Безпечна оплата
  • Як післяплата, тільки без переплат
  • Повернем гроші, якщо щось піде не так
  • Bigl гарантує безпеку
Оплата на рахунок
IBAN UA783052990000026004050287247
Способи доставки
Нова Пошта — від 70 грн
Умови повернення
Уточнюйте у продавця
Інші товари продавця
Подібні товари інших продавців
Дивіться також
Новинки в категорії транзистори
Чат