•
•
•
•
•
•
IGBT модуль Semikron SKiiP 35NAB12T4V1 50 А 1200 В
Характеристики и описание
Основной
| Производитель | Semikron |
| Страна производитель | Китай |
| Тип транзистора | Транзисторный модуль |
| Максимально допустимый ток коллектора | 50 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Срок службы | 10000 час |
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
| Производитель | Semikron |
| Тип модуля | IGBT модуль |
| Количество ключей | 7 |
| Топология | 3-фазный мост IGBT |
| Обратное напряжение | 1200 В |
| Номинальный ток коллектора | 50 А |
| Темература хранения | -40 - +125 °C |
| Диапазон рабочих температур | -40 - +150 °C |
| Макс. температура перехода | +175 °C |
| Технология | IGBT 4 |
| Тип корпуса | MiniSKIIP 2 |
| Размеры корпуса (ДхШхВ мм) | 58,5x51,5x15,8 |
Применение:
- Инвертор до 26 кВА;
- Управление двигателем до 15 кВт.
IGBT модуль Semikron SKiiP 35NAB12T4V1 50 А 1200 В
Под заказ, 45 дней
от 3 930 ₴
Способы доставки
Нова Пошта — от 70 грн
Условия возврата
Уточняйте у продавцаДругие товары продавца
от 1 200 ₴
от 600 ₴
Смотрите также
Новинки в категории транзисторы
Любимые товары покупателей
Чат