promo_download_app_android_2023
Нажмите найти для поиска
Транзистор MJD112
Транзистор MJD112
Характеристики и описание

Пользовательские характеристики

Граничная частота (Ft)25 МГц
КорпусTO252-2L
Коэффициент передачи тока (диапазон)1000 - 12000
Макс. напряжение коллектор-база-100 V
Макс. напряжение коллектор-эмиттер-100 V
Макс. напряжение эмиттер-база-5 V
Макс. постоянный ток коллектора2 А
Мощность рассеяния1.75 Вт
Способ монтажаSMD монтаж
СтруктураNPN-Darlington + Diode
Схема соединенияОдиночный
NPN Составной (дарлингтон), 100V 2A . Комплементарная пара MJD117

Характеристики
КорпусTO252-2L
СтруктураNPN-Darlington + Diode
Схема соединенияОдиночный
Макс. напряжение коллектор-база100 V
Макс. напряжение коллектор-эмиттер100 V
Макс. напряжение эмиттер-база5 V
Макс. постоянный ток коллектора2 А
Мощность рассеяния1.75 Вт
Граничная частота (Ft)25 МГц
Коэффициент передачи тока (диапазон)1000 - 12000
Способ монтажаSMD монтаж

Транзистор MJD112

Готово к отправке
Код: 029030
8.86 
Способы оплаты
Безопасная оплата
  • Как наложенный платеж, только без переплат
  • Вернем деньги, если что-то пойдет не так
  • Bigl гарантирует безопасность
Оплата на счет
Способы доставки
Нова Пошта — от 70 грн
Условия возврата
Возврат товара в течение 14 дней за домовленістю
Чат