•
•
•
•
•
•
Транзистор MJD112
Характеристики та опис
Користувальницькі характеристики
| Гранична частота (Ft) | 25 МГц |
| Корпус | TO252-2L |
| Коефіцієнт передачі струму (діапазон) | 1000 - 12000 |
| Макс. напруга колектор-база | 100 V |
| Макс. напруга колектор-емітер | 100 V |
NPN Складений (дарлингтон), 100v 2a . Пара комплементу MJD117
Характеристики
Характеристики
| Корпус | TO252-2L |
| Структура | NPN-Darlington + Diode |
| Схема соединения | Одиночный |
| Макс. напряжение коллектор-база | 100 V |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер | 100 V |
| Макс. напряжение эмиттер-база | 5 V |
| Макс. постоянный ток коллектора | 2 А |
| Мощность рассеяния | 1.75 Вт |
| Граничная частота (Ft) | 25 МГц |
| Коэффициент передачи тока (диапазон) | 1000 - 12000 |
| Способ монтажа | SMD монтаж |
Транзистор MJD112
Готово до відправки
8.86 ₴
Способи оплати
Безпечна оплата
- Як післяплата, тільки без переплат
- Повернем гроші, якщо щось піде не так
- Bigl гарантує безпеку
Способи доставки
Нова Пошта — від 60 грн
Умови повернення
Повернення товару впродовж 14 днів за домовленістюІнші товари продавця
Подібні товари інших продавців
Дивіться також
Новинки в категорії транзистори
Улюблені товари покупців
Чат