Виробник
MITSUBISHI ELECTRIC
Тип модуля
IGBT
Конструкція діода
одиночний транзистор
Зворотна напруга макс.
1,2кВ
Струм колектора
600А
Електричний монтаж
гвинтами
Напруга затвор - емітер
±20В
Струм колектора в імпульсі
1,2кА
Характеристики напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode 0 Механічний монтаж
гвинтами