Описание

Структура Транзистор IGBT + Diode
Схема соединения Одиночный
Макс. напряжение коллектор-эмиттер 650 V
Напряжение затвор - эмиттер ±20 V
Макс. ток коллектора (25°C) 90 А
Макс. ток коллектора (100°C) 75 А
Макс. постоянный ток диода (25°С) 90 А
Макс. постоянный ток диода (100°С) 75 А
Время восстановления диода (25°С/tmax) 59 нс (typ)
Мощность рассеяния при 25°C 468 Вт

Характеристики

Монтаж

THT

Тип корпуса

TO-247

Напряжение коллектор-эмиттер, В

650

Напряжение затвор - эмиттер, В

20

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В

1.65

Ток коллектора, А

90

Максимальная рассеиваемая мощность, Вт

468

Заряд затвора

173 nC

Время включения

120ns

Время выключения

355ns

Мин. рабочая температура, С

-40

Макс. рабочая температура, С

175