FDPC5018SG — высокоэффективный двойной асимметричный N-канальный MOSFET производства onsemi. Транзистор построен по технологии PowerTrench® и объединяет в одном корпусе управляющий (High-Side) и синхронный (Low-Side) MOSFET с внутренним соединенным узлом переключения (SW). Оптимизирован для синхронных Buck-преобразователей, обеспечивая высокую эффективность, низкие потери и компактную компоновку. Широко применяется в материнских платах ноутбуков, ПК, видеокартах и телекоммуникационном оборудовании.

Основные характеристики

Параметр	Значение
Производитель	onsemi
Модель	FDPC5018SG
Тип	Двойной асимметричный N-канальный MOSFET
Максимальна напруга Drain-Source (VDS)	30 В
Максимальный ток Drain (ID)	17 А (Q1) / 32 А (Q2)
Сопротивление открытого канала RDS(on)	5.0 мΩ (Q1) / 1.6 мΩ (Q2) @ VGS = 10 В
Напруга Gate-Source (VGS)	±20 В
Технология	PowerTrench® Power Clip
Корпус	PQFN-8 (Power56, 5 × 6 мм)

Основные функции

Двойной асимметричный N-канальный MOSFET.
Оптимизирован для синхронных Buck преобразователей.
Внутренний соединенный узел переключения (SW).
Низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)).
Высокая скорость переключения и низкие потери.
Уменьшение паразитной индуктивности благодаря корпусу Power Clip.
Встроенная защита от ESD.
Высокая эффективность в высокоточных узлах питания.

Область применения

Транзистор используется для ремонта и восстановления:

материнских плат ноутбуков;
материнских плат ПК;
видеокарт;
узлов питания процессора (CPU VRM);
узлов питания графического процессора (GPU VRM);
синхронных DC / DC преобразователей;
Телекоммуникационного оборудования.