Транзистор uPI Semiconductor QA3111N6N
QA3111N6N — высокоэффективный двойной асимметричный N-канальный MOSFET производства uPI Semiconductor. Транзистор сочетает в одном корпусе два MOSFET с различными параметрами, что делает его оптимальным для синхронных Buck-преобразователей. Благодаря низкому сопротивлению открытого канала и малому заряду затвора обеспечивает высокую эффективность и минимальные потери мощности. Широко применяется в материнских платах ноутбуков, ПК и видеокартах.
Основные характеристики
| Параметр |
Значение |
| Производитель |
uPI Semiconductor |
| Модель |
QA3111N6N |
| Тип |
Двойной асимметричный N-канальный MOSFET |
| Максимальна напруга Drain-Source (VDS) |
30 В |
| Максимальный ток Drain (ID) |
До 59А / 135 А (в зависимости от кристалла) |
| Сопротивление открытого канала RDS(on) |
5.6 мΩ / 1.3 мΩ @ VGS = 10 В |
| Напруга Gate-Source (VGS) |
±20 В |
| Корпус |
DFN 5 × 6 мм |
Основные функции
- Двойной асимметричный N-канальный MOSFET.
- Оптимизирован для синхронных Buck преобразователей.
- Низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)).
- Малый заряд затвора (Low Gate Charge).
- Высокая скорость переключения.
- Высокая эффективность при работе в узлах питания.
- Подходит для высокочастотных DC / DC преобразователей.
Область применения
Транзистор используется для ремонта и восстановления:
- материнских плат ноутбуков;
- материнских плат ПК;
- видеокарт;
- узлов питания процессора (CPU VRM);
- синхронных DC / DC преобразователей;
- другой компьютерной и промышленной электроники.