Производитель: Xiaomi. Технологии зарядки: с функцией быстрой зарядки. Разъемы: audio 3.5 мм. Разрешение: 2400 x 1080. Серия: Xiaomi Redmi Note 14. Технология дисплея: AMOLED. Навигация: BDS. Формат SIM-карт: Nano-SIM. Количество SIM-карт: 2 (или 1 SIM + карта памяти). Состояние товара: Новый. Беспроводная связь: с NFC. Разъемы: USB Type-C. Навигация: GPS. Стандарт связи: 2G. Разрешение записи видео основной камеры: 1920 x 1080 (1080p) (30 к/с). Дополнительные функции основной камеры: вспышка. Операционная система: Android 14. Материал: пластик. Дополнительные функции основной камеры: PDAF. Процессор: Mediatek Helio G99 Ultra. Защищенность корпуса: IP54 (частичная пылезащита, защита от водяных брызг). Форм фактор: моноблок (неразборный). Коммуникации: Bluetooth 5.3. Навигация: Galileo. Способ разблокировки: сканер отпечатков пальцев в экране. Тип: смартфон. Поддержка карт памяти: microSD до 1024 ГБ. Навигация: GLONASS. Стандарт связи: 3G. Цвет: полуночный черный. Комплектация: смартфон. Встроенная память, ГБ: 128. Стандарт связи: 4G. Диафрагма основной камеры: f/1.7 + f/2.4 + f/2.4. Диагональ, ": 6.67. Частота обновления экрана, Гц: 120. Дополнительно: гироскоп. Дополнительные функции основной камеры: панорама. Комплектация: скрепка для извлечения Sim-карты. Габариты, мм: 163.25 x 76.55 x 8.16. Количество ядер процессора: 8. Коммуникации: Wi-Fi 802.11 a/b/g/n/ac. Дополнительно: датчик освещенности. Видеоядро: ARM Mali-G57 MC2. Модельный год: 2025. Разрешение записи видео фронтальной камеры: 1920 х 1080. PPI (щільність пікселів): 394. Дополнительные функции основной камеры: HDR. Емкость аккумулятора, мАч: 5500. Фронтальна камера, Мп: 20. Комплектация: кабель USB. Частота процессора, ГГц: 2.2. Особенности дисплея: Corning Gorilla Glass 5. Дополнительно: датчик приближения. Основная камера, Мп: 108 + 2 + 2. Дополнительно: акселерометр. Оперативная память, ГБ: 6. Диафрагма фронтальной камеры: f/2.2. Комплектация: документация. Комплектация: чехол. Масса, г: 196.5. Дополнительно: компас. В группе: С мощной батареей (от 5000 мАч).