Завантажити застосунок Bigl для ios
Нажмите найти для поиска
Транзистор IRF3607 Оригинал!!! 80A/56A, 75V, MOSFET, корпус TO-220
Транзистор IRF3607 Оригинал!!! 80A/56A, 75V, MOSFET, корпус TO-220
Характеристики и описание

Основной

ПроизводительInternational Rectifier
Страна производительКитай

Пользовательские характеристики

КорпусTO-220
Количество в упаковке1 шт.
Максимальна напруга+75V
Максимальный ток80A
Тип транзистораMOSFET
IRF3607 - мощный полевой N-канальный транзистор в корпусе TO-220. Технические характеристики MOSFET-транзистора IRF3607 Общие параметры: Производители / Бренд: Infineon Technologies / International Rectifier полная заводская маркировка модели IRFB3607PBF Технологичная база: Advanced HEXFET Power MOSFET / IR MOSFET Структура транзистора: Мощный полевой N-канальный MOSFET Выполнение корпуса: TO-220 также обозначается как TO-220AB Электрические параметры Предельно допустимые значения: Максимальное напряжение стик-вилка Vdss: 75 В Максимальное напряжение затвор-вилка Vgs: ±20 В Постоянный ток стока Id при температуре фланца 25°C кремниевое ограничение: 80А Постоянный ток стока Id при температуре фланца 100°C: 56 А Пиковый импульсный ток стока Idm: 310 А Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 140 Вт Максимальная одиночная передача энергии Eas: 120 мДж Статические и динамические характеристики транзистора: Типичное сопротивление открытого канала стекатик Rdson: 7.3 мОм при напряжении затвора 10 В и тока 46 А Максимальное сопротивление открытого канала стекат-вытек Rdson max: 9.0 мОм Пороговое напряжение включения затвора Vgsth: 2.0...4.0 В Полный заряд затвора Qg: ~56-84 нКл при напряжении затвора 10В Входная емкость Ciss: ~3070 пФ Выходная емкость Coss: ~280 пФ Время задержки включения tdon: ~16 нс Время задержки отключения tdoff: ~38 нс Параметры встроенного защитного диода: Типичное прямое напряжение диода Vf: 1.30 В при прямом токе 46 А и напряжении затвора 0 В Время обратного восстановления trr: ~32-48 нс Максимальный прямой ток диода If: 80А Тепловые параметры и эксплуатация: Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +175 °C Тепловое сопротивление переход-корпус для MOSFET Rthjc: 1.04 °C/Вт Область применения и использования: Основное назначение: Силовые выходные каскады преобразователей напряжения, автомобильные и промышленные инверторы. Совместимые устройства: Источники бесперебойного питания (ДБП / UPS), BMS платы защиты литиевых аккумуляторов, зарядные устройства. Системы управления: Контроллеры электротранспорта, схемы синхронного выпрямления в высокочастотных импульсных блоках питания (SMPS) и ШИМ-регуляторы двигателей постоянного тока.

Транзистор IRF3607 Оригинал!!! 80A/56A, 75V, MOSFET, корпус TO-220

Готово к отправке
Код: 404
64 
80 
-20%
Способы оплаты
Безопасная оплата
  • Как наложенный платеж, только без переплат
  • Вернем деньги, если что-то пойдет не так
  • Bigl гарантирует безопасность
Наложенный платеж
Нова Пошта
Оплата на счет
Способы доставки
Нова Пошта — от 70 грн
Условия возврата
Уточняйте у продавца
Чат