Завантажити застосунок Bigl для ios
Нажмите найти для поиска
Транзистор IRF3207 Оригинал!!!  170A/120A, 75V, MOSFET, корпус TO-220
Транзистор IRF3207 Оригинал!!!  170A/120A, 75V, MOSFET, корпус TO-220
Характеристики и описание

Основной

ПроизводительInternational Rectifier
Страна производительКитай

Пользовательские характеристики

КорпусTO-220
Количество в упаковке1 шт.
Максимальна напруга+75V
Максимальный ток170A
Тип транзистораMOSFET
Технические характеристики MOSFET-транзистора IRF3207 Общие параметры: Производители / Бренд: Infineon Technologies / International Rectifier полная заводская маркировка модели IRFB3207PBF Технологичная база: HEXFET Power MOSFET / IR MOSFET Структура транзистора: Мощный полевой N-канальный MOSFET Выполнение корпуса: TO-220 также обозначается как TO-220AB Электрические параметры Предельно допустимые значения: Максимальное напряжение стик-вилка Vdss: 75 В Максимальное напряжение затвор-вилка Vgs: ±20 В Постоянный ток стока Id при температуре фланца 25°C кремниевое ограничение: 170...180 А Постоянный ток стока Id при температуре фланца 25°C ограничения корпуса: 75А Постоянный ток стока Id при температуре фланца 100°C: 120А Пиковый импульсный ток стока Idm: 390...670 А Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 300...330 Вт Статические и динамические характеристики транзистора: Типичное сопротивление открытого канала стекатик Rdson: 3.6...4.1 мОм при напряжении затвора 10 В Максимальное сопротивление открытого канала стекат-вытек Rdson max: 4.5 мОм Пороговое напряжение включения затвора Vgsth: 2.0...4.0 В Полный заряд затвора Qg: ~180 нКл при напряжении затвора 10 В Входная емкость Ciss: ~7600 пФ Выходная емкость Coss: ~710 пФ Время нарастания импульса tr: ~120 нс Время спада импульса tf: ~74 нс Параметры встроенного защитного диода: Типичное прямое напряжение диода Vf: 1.30 В при прямом токе обратного хода Время обратного восстановления trr: ~36-54 нс Максимальный прямой ток диода If: 170А Тепловые параметры и эксплуатация: Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +175 °C Тепловое сопротивление переход-корпус для MOSFET Rthjc: ~0.45...0.50 °C/Вт Область применения и использования: Основное назначение: Мощные выходные каскады низковольтных преобразователей напряжения и автомобильных инверторов (12 В в 220 В). Совместимые устройства: Источники бесперебойного питания (ДБП / UPS), зарядные станции, системы высокоскоростного переключения питания. Системы управления: Схемы синхронного выпрямления в высокочастотных импульсных блоках питания (SMPS) и контроллеры двигателей постоянного тока.

Транзистор IRF3207 Оригинал!!! 170A/120A, 75V, MOSFET, корпус TO-220

5
(2)
1 заказ за месяц
Готово к отправке
Код: 403
68 
80 
-15%
Способы оплаты
Безопасная оплата
  • Как наложенный платеж, только без переплат
  • Вернем деньги, если что-то пойдет не так
  • Bigl гарантирует безопасность
Наложенный платеж
Нова Пошта
Оплата на счет
Способы доставки
Нова Пошта — от 70 грн
Условия возврата
Уточняйте у продавца
Чат