Технологія GaN

Технологія GaN відповідає за більш ефективне перетворення енергії, тому під час заряджання втрачається менше тепла. Це означає, що зарядний пристрій витрачає менше електроенергії та може заряджати пристрої швидше. GaN-елементи менше кремнієвих, що дозволяє створювати потужні зарядні пристрої в компактному корпусі. Baseus GaN5 зручний у транспортуванні та займає мінімум місця, що ідеально підходить для подорожей.

Підтримка швидкого заряджання PD 3.0 і QC 3.0

Baseus GaN5 підтримує протоколи Power Delivery 3.0 (PD) та Quick Charge 3.0 (QC), які дозволяють швидку зарядку більшості сучасних смартфонів, планшетів та інших USB-C пристроїв. Ви зможете заряджати пристрої на 50% швидше, ніж традиційні зарядки. Підтримка PD та QC робить цей продукт для різних брендів, таких як iPhone, Samsung, Google Pixel та інші, які використовують ці стандарти.

Мульти-захист

Захист від перегріву, перенапруги та короткого замикання: вбудовані механізми захисту забезпечують безпечне заряджання, захищаючи пристрій від можливих пошкоджень. Контроль напруги забезпечує стабільну подачу енергії навіть при тривалій зарядці, що збільшує термін служби як зарядного пристрою, так і акумулятора гаджета.