Корпус	SO-8
Число каналов	1
Максимальна робоча температура, °C	150
Мінімальна робоча температура, °C	-55
Напруга затвор-витік Vgs, Вольт	8
Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт	12
Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом	0,01
Полярность	P-Channel
Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт	0,5-1,0
Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер	10
Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт	1,5
Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд	170
Час закриття транзистора td(off), Наносекунд	620

P-ch, 12V, 10A, 1,5W, 0,01 Ohm

Описание

це P-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа. Транзистор предназначен для силової або сигнальної комутації та может использоваться в таких вузлах: низковольтные DC-DC перетворювачі, BMS, автомобильная электроника, драйверы двигателей, ключи нагрузки та системы управления питанием.

Технические характеристики

Тип: P-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа
Корпус: SO-8
Монтаж: SMD (поверхностный монтаж)
Напряжение сток-исток (VDS), за карткою: 12 В
Постоянный ток стока (ID), за карткою: 10 А
Рассеиваемая мощность (PD), за карткою: 1,5 Вт
Сопротивление открытого канала (RDS(on)), за карткою: 0,01 Ом

Функционал

Работа в DC-DC перетворювачах
Управление силовим нагрузким у драйверних схемах
Управление силовыми линиями у BMS
Коммутация нагрузки
Управление линиями питания
Силовая или сигнальная коммутация

Распиновка

Корпус SO-8, одиночний силовий MOSFET. Типове розташування силових контактів: 1–3. Source (S) 4. Gate (G) 5–8. Drain (D) Перед заміною або трасуванням PCB бажано звірити datasheet конкретної ревізії.