2Т704Б ВП 5 <> Ni
Транзисторы 2Т704Б кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные. Предназначены для применения в импульсных высоковольтных модуляторах. Используются для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами и винтом. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Вывод эмиттера маркируется точкой. Тип корпуса: КТ-10. Масса транзистора не более 20,0 г. Климатическое исполнение: «УХЛ» и «В». Категория качества: «ВП». Минимальный срок сохраняемости - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Основные технические характеристики транзистора 2Т704Б: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 15 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 мГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 400 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 2,5 А; • Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 5 мА (700В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 10... 100; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 50 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 2,5 Ом.
Актуальная цена и наличие - по запросу.
Пожалуйста, предварительно уточняйте.
Пожалуйста, пишите в комментарии к заказу какие именно позиции или номиналы заказываете.
По желанию покупателя создам отдельное обьявление для конкретной позиции.
По запросу сделаю фото.
Купить товар Вы можете позвонив нам по телефонуи через сайт компании https://radioprom.prom.ua/