Наименование: CRG40T60AN3H
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: G40T60AN3H
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 280
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 80
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.9
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 7
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 47.2
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 141
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 239
   Тип корпуса: TO3PN