•
•
•
•
•
•
YGP20N65T2 IGBT-транзистор оригинал
Характеристики и описание
Основной
| Страна производитель | Китай |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Тип биполярного транзистора | P-N-P |
| Тип полевого транзистора | С индуцированным каналом |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 650 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 40 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
Основной
| Производитель | ICM |
| Напряжение коллектор эмиттер (UCES), В | 650 | |
| Максимально допустимый ток коллектора (Ic), А | 40 | |
| Максимально допустимый ток коллектора при 100°C (Ic(100°C)), А | 20 | |
| Максимальная мощность (Pмакс), Вт | 125 | |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (UCE(on)), В | 1.65 | |
| Максимальный импульсный ток коллектора (Icm), А | 60 | |
| Наличие диода | есть | |
| Максимальный прямой ток диода (IF), А | 40 | |
| Время спада (tof), нс | 60 | |
| Время нарастания (ton), нс | 20 | |
| Полный заряд затвора, нКл | 45 | |
| Время восcтановления диода (trr), нс | 50 |
YGP20N65T2 IGBT-транзистор оригинал
Готово к отправке
90 ₴
Способы оплаты
Нова Пошта, Самовывоз
Способы доставки
Нова Пошта — от 70 грн
Самовывоз
Условия возврата
Уточняйте у продавцаДругие товары продавца
Смотрите также
Новинки в категории транзисторы
Любимые товары покупателей
Чат