Диоды лавинные ДЛ132-80 - штыревые диоды, преобразовывают постоянный и переменный ток до 80 ампер частотой до 500Гц в цепях с напряжением 400В - 1600В.
Полярность диода определяется по значку на корпусе. Тип корпуса диодов: SD3. «SD» означает «stud diode» - штыревой диод. Диоды могут изготавливаться для эксплуатации в умеренном, холодном и тропическом климате.
Диоды собирают с охладителями при помощи резьбового соединения. Чтобы электрические потери были минимальными, а отвод тепла максимальным, при сборке следует обеспечивать необходимый закручивающий момент, так называемое усилие зажатия. Для лучшего отвода тепла диода при сборке используют теплопроводящую пасту КПТ-8, что не является обязательным условием монтажа.
Применяются силовые диоды ДЛ132-80 в качестве выпрямительных и размагничивающих диодов, для предотвращения пагубного воздействия коммутационных перенапряжений, в низковольтных выпрямителях сварочного и гальванического оборудования, в неуправляемых или полууправляемых выпрямительных мостах, а также в электрогенераторах промышленности и транспорта.
Подробные характеристики, расшифровка маркировки, полярность, габаритные размеры, предельные прямые вольт-амперные характеристики, рекомендуемые охладители к диодам указаны ниже.
Наша компания гарантирует качество и работу диодов в течение 2 лет с момента их приобретения. Это подкрепляется необходимыми документами по качеству.
Окончательная цена на диоды ДЛ132-80 зависит от класса, количества, сроков поставки и формы оплаты.
| Диоды ДЛ132-80 |
| Повторяющееся импульсное обратное напряжение |
URRM |
400-1600 В |
| Максимально допустимый средний прямой ток (Температура корпуса) |
IF(AV)/(TC) |
80 А (120°C) |
| Максимально допустимый действующий прямой ток в открытом состоянии |
IFRMS |
125 А |
| Ударный прямой ток в открытом состоянии |
IFSM |
1.50 кА |
| Максимально допустимая температура перехода |
Tjmax |
160 ºC |
| Импульсное прямое напряжение в открытом состоянии / импульсный прямой ток в открытом состоянии |
UFM/IFM |
1.35/250 В/А |
| Пороговое напряжение диода в открытом состоянии |
UT(TO) |
0.78 В |
| Динамическое сопротивление в открытом состоянии |
rT |
2.120 мОм |
| Повторяющийся импульсный обратный ток в закрытом состоянии |
IRRM |
10 мА |
| Защитный показатель - значение интеграла от квадрата ударного неповторяющегося импульсного прямого тока в открытом состоянии диода за время протекания |
i2·t |
11.25 кА2·c |
| Тепловое сопротивление переход - корпус |
Rth(j-c) |
0.40 ºC/Вт |
| Усилие зажатия |
Md |
5.0-6.2 Нм |
| Масса |
W |
0.027 кг |
| Рекомендуемые охладители |
, О331О231 |