SKM200GB128D - электроизолированный IGBT модуль Semikron

Имеет следующие основные параметры:

• номинальное напряжение — U=1200 V;
• длительно допустимый ток коллектора при температуре корпуса 25 градусов — IC@ (TC=25ºC) =300A;
• длительно допустимый ток коллектора при максимальной температуре корпуса — IСnom=150A;
• напряжение насыщения коллектор-эмиттер — VCEsat=1.9V;
• потери энергии при включении — Eon=18mJ;
• потери энергии на выключение — Eoff=15mJ;
• тепловое сопротивление переход-корпус (IGBT) — Rth (j-c) =0.095K/W;
• прямой ток (обратного диода) при температуре корпуса 25 градусов — IF@ (TC=25ºC) =190A;
• (безпосереднє пряме падіння напруги (на зворотному діоді) — VF=2V;
• втрати енергії при зворотному відновлення (зворотного діода) — Err=8mJ;
• тепловий опір перехід-корпус (діод) — Rth (j-c) =0.25 K/W.
• корпус — SEMITRANS 3.