Единица измерения: шт
Производитель: TI
Корпус: DIP-8
Напряжение питания Vc, В: ±18 В
Полоса пропускания BW, МГц: 3 МГц
Напряжение смещения Vio, мВ: 3 мВ
Скорость нарастания, В/µs: 13 В/µs
Температурный диапазон: -40...+85°С
Доп. параметры: JFET-вход, кол-во каналов: 2
Кол-во каналов: 2
Монтаж: THT