2Д503Б
Диоды 2Д503Б кремниевые, эпитаксиально-планарные, импульсные.
Предназначены для применения в качестве переключающих элементов в импульсных быстродействующих устройствах наносекундного диапазона.
Используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах специального назначения.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Для обозначения типа и полярности диодов используются условная маркировка цветовым кодом
  - для 2Д503А - два белых кольца со стороны катодного вывода;
  - для 2Д503Б - два синих кольца со стороны катодного вывода.
Тип корпуса: КД-121, масса не более 0,3 г.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приемка «5» ТТ3.362.096ТУ.
Срок сохраняемости диодов не менее 25 лет с даты изготовления.

Основные технические характеристики диода 2Д503Б:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 30 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 20 мА;
• fд - Рабочая частота диода: 350 мГц;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 10 мА;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 10 мкА при Uoбp 30 В;
• tвoc обр - Время обратного восстановления: 0,01 мкс;
• Сд - Общая емкость: 2,5 пФ

Условные обозначения электрических параметров диодов:

 • Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение;
 • Uобр имп max - Максимальное импульсное обратное напряжение;
 • Inp max - Максимальный (средний) прямой ток;
 • Inp имп max - Максимальный импульсный прямой ток;
 • Uпр/Iпр - Постоянное прямое напряжение (Uпр) на диоде при заданном прямом токе (Iпр) через него;
 • Iобр- Обратный ток диода при предельном обратном напряжении;
 • fд max - Максимальная рабочая частота диода;
 • tвoc обр - Время обратного восстановления;
 • Сд - Общая емкость диода;
 • Т - температура окружающей среды.