Ядро Yorkfield
Количество ядер 4
Техпроцесс, нм 45 high-k
Разъем LGA 775
Частота, МГц 2500
Множитель 8
FSB/HT/QPI 1333
кэш L1, КБ 32 x 4
кэш L2, КБ 2048 x 2
Напряжение питания, В
TDP, Вт 95
Кол-во транзисторов, млн 456
Площадь кристалла, кв. мм 82 x 2
Предельная температура, °C 71,4