Биполярный NPN транзистор S8550.

Характеристики:

• Тип материала: Si
• Полярность: NPN
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
• Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
• Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
• Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
• Корпус транзистора: TO92