Биполярный NPN транзистор 2N5551.

Характеристики:

• Тип материала: Si
• Полярность: NPN
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.31 W
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
• Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 135 °C
• Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
• Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
• Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
• Корпус транзистора: TO92