Биполярный PNP транзистор 2N5401B.

Характеристики:

• Тип материала: Si
• Полярность: PNP
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 190 V
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 165 V
• Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
• Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
• Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
• Корпус транзистора: TO92