Наименование прибора: 100N03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 180 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 100 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Выходная емкость (Cd): 1300 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0055 Ohm