Транзистор IRF840 N-канальный MOSFET (полевой транзистор), обеспечивает наилучшее сочетание быстрого переключения, прочной конструкции устройства, низкого сопротивления во включенном состоянии и доступной цены.

Характеристики:

• Полярность: N
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 74 W
• Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
• Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
• Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8 A
• Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
• Общий заряд затвора (Qg): 63 nC
• Время нарастания (tr): 23 ns
• Выходная емкость (Cd): 310 pf
• Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.85 Ohm
• Тип корпуса: ТО220