Характеристики и описание
Основной
| Производитель | Fairchild Semiconductor |
Пользовательские характеристики
| Корпус | TO3P |
| Коэффициент передачи тока (диапазон) | min 500 |
| Макс. напряжение коллектор-база | 100 V |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер | 100 V |
| Макс. напряжение эмиттер-база | -5 V |
| Макс. постоянный ток коллектора | -10 А |
| Мощность рассеяния | 125 Вт |
| Способ монтажа | Пайка в отверстия |
| Стандартная упаковка | 30 шт |
| Структура | PNP-Darlington + Diode |
| Схема соединения | Одиночный |
| Тип упаковки | Туба |
Транзистор p-n-p Дарлингтон 100В 10A 125Вт
Характеристики
| Корпус | TO3P |
| Структура | PNP-Darlington + Diode |
| Схема соединения | Одиночный |
| Макс. напряжение коллектор-база | -100 V |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер | -100 V |
| Макс. напряжение эмиттер-база | -5 V |
| Макс. постоянный ток коллектора | -10 А |
| Мощность рассеяния | 125 Вт |
| Коэффициент передачи тока (диапазон) | min 500 |
| Способ монтажа | Пайка в отверстия |
| Тип упаковки | Туба |
| Стандартная упаковка | 30 шт |