|
|
| Категория продукта : |
МОП-транзистор |
|
|
|
|
|
|
| Полярность транзистора : |
P-канальный |
|
|
| Vds ― пробоя сток-исток напряжения : |
- 200 В |
|
|
| Vgs ― затвор-исток Напряжение пробоя : |
20 В |
|
|
| Id ― Непрерывный ток стока : |
11 |
|
|
| РДС на ― сток-исток сопротивления : |
800 mOhms |
|
|
|
|
| Максимальная рабочая температура : |
+ 150 C |
|
|
| Pd ― рассеиваемая мощность : |
125 Вт |
|
|
| Монтажа : |
Сквозное отверстие |
|
|
| Упаковка / блок : |
К-220-3 |
|
|
|
|
|
|
|
|
| Минимальная рабочая температура : |
- 55 C |
|
|
|
|
|
|
|
|
| Типичный задержки выключения Время : |
50 нс
|
|
|
|
|
|
Product Attribute
Attribute Value
Search Similar
Product Category:
MOSFET
Technology:
Si
Mounting Style:
Through Hole
Package/Case:
TO-220-3
Number of Channels:
1 Channel
Transistor Polarity:
P-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:
200 V
Id - Continuous Drain Current:
6.5 A
Rds On - Drain-Source Resistance:
800 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage:
20 V
Minimum Operating Temperature:
- 55 C
Maximum Operating Temperature:
+ 150 C
Pd - Power Dissipation:
75 W
Configuration:
Single
Channel Mode:
Enhancement
Height:
16.3 mm
Length:
10.67 mm
Series:
IRF9630
Transistor Type:
1 P-Channel
Width:
4.7 mm
Brand:
ON Semiconductor / Fairchild
Fall Time:
40 ns
Product Type:
MOSFET
Rise Time:
50 ns
Subcategory:
MOSFETs
Typical Turn-Off Delay Time:
50 ns
Typical Turn-On Delay Time:
30 ns
Unit Weight:
2,565 g