Характеристики и описание
Основной
| Производитель | International Rectifier |
| Страна производитель | Китай |
| Максимальная мощность рассеивания | 130 Вт |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 55 В |
| Максимально допустимый ток стока | 77 А |
| Материал корпуса | Пластик |
| Тип монтажа | Ручной монтаж |
| Тип транзистора | Полевой |
Пользовательские характеристики
| Data sheet: | скачать PDF в спецификации |
| Корпус транзистора: | ТО220 |
IRL2203N транзистор MOSFET N-CH 30V 116A TO-220 180W

Изображения служат только для ознакомления
См. спецификации продукта
| Product Category: |
MOSFET |
|
| Manufacturer: |
IR |
|
| Technology: |
Si |
|
| Mounting Style: |
Through Hole |
|
| Package/Case: |
TO-220-3 |
|
| Number of Channels: |
1 Channel |
|
| Transistor Polarity: |
N-Channel |
|
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: |
30 V |
|
| Id - Continuous Drain Current: |
116 A |
|
| Rds On - Drain-Source Resistance: |
7 mOhms |
|
| Vgs - Gate-Source Voltage: |
16 V |
|
| Minimum Operating Temperature: |
- 55 C |
|
| Maximum Operating Temperature: |
+ 175 C |
|
| Channel Mode: |
Enhancement |
|
| Brand: |
Infineon / IR |
|
| Configuration: |
Single |
|
| Fall Time: |
66 ns |
|
| Height: |
15.65 mm |
|
| Length: |
10 mm |
|
| Pd - Power Dissipation: |
180 W |
|
| Rise Time: |
160 ns |
|
| Transistor Type: |
1 N-Channel |
|
| Typical Turn-Off Delay Time: |
23 ns |
|
| Typical Turn-On Delay Time: |
11 ns |
|
| Width: |
4.4 mm |
|
| Unit Weight: |
6 g |