Наименование: STGW38IH130D

Тип транзистора: IGBT + Diode

Маркировка: GW38IH130D

Тип управляющего канала: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 180

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1300

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 25

Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 55

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.1

Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 5.75

Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150

Время нарастания типовое (tr), nS: 102

Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 155

Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 127
Тип корпуса: TO247