Наименование: STGF19NC60KD

Тип транзистора: IGBT + Diode

Маркировка: GF19NC60KD

Тип управляющего канала: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 32

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20

Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 16

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2

Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.5

Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150

Время нарастания типовое (tr), nS: 8

Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 127

Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 55
Тип корпуса: TO220FP