Наименование: GT30J322

Тип транзистора: IGBT + Diode

Тип управляющего канала: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 75

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20

Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 30

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.1

Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150

Время нарастания типовое (tr), nS: 200
Тип корпуса: TO3P