Наименование прибора: IRF822

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2.2 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 19(max) nC

Время нарастания (tr): 50(max) ns

Выходная емкость (Cd): 460 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 4 Ohm

Тип корпуса: TO220