Наименование прибора: HY3008P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 80 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 100 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 67 nC

Время нарастания (tr): 39 ns

Выходная емкость (Cd): 440 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0085 Ohm

Тип корпуса: TO220