Наименование прибора: FQA8N100C
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 225 W
Предельно допустимое напряжение сток-утечка |Uds|: 1000 V
Предельно допустимое напряжение затвор-утечка | Ugs |: 30 V
пороговое напряжение включения | УГС (th) |: 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока Id |: 8 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 53 nC
Сопротивление сток-утечка открытого транзистора (Rds): 1.45 Ohm
Тип корпуса: TO3PN