Наименование прибора: MMF60R580P
Маркировка: 60R580P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W
Предельно допустимое напряжение сток-утечка |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-утечка | Ugs |: 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока Id |: 8 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время роста (tr): 34 ns
Выходная емкость (Cd): 428 pf
Сопротивление сток-утечка открытого транзистора (Rds): 0.53 Ohm
Тип корпуса: TO220F