Наименование прибора: CMD50N06B
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 136 W
Предельно допустимое напряжение сток-утечка |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-утечка | Ugs |: 20 V
пороговое напряжение включения | УГС (th) |: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока Id |: 50 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 47 nC
Время роста (tr): 15 ns
Выходная емкость (Cd): 470 pf
Сопротивление сток-утечка открытого транзистора (Rds): 0.012 Ohm
Тип корпуса: TO252