Наименование прибора: STW26NM60
Маркировка: W26NM60
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 313 W
Предельно допустимое напряжение сток-утечка |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-утечка | Ugs |: 30 V
пороговое напряжение включения | УГС (th) |: 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока Id |: 30 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 73 nC
Время роста (tr): 22 ns
Выходная емкость (Cd): 900 pf
Сопротивление сток-утечка открытого транзистора (Rds): 0.135 Ohm
Тип корпуса: TO-247